檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "莊敏宏".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="葉文昌"
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於polished單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。所製作pn二極體之ideal factor為1.52。以此方式製作太陽電池，雖不具抗反…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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成功的利用濺鍍法，配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式，製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上，所製作的TFT On/Off電流比為103，Mobility為10 cm2/V-S， Threshold vo…
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本論文以原創且簡易的方式實現矽膜晶粒定位技術，其中分別有針狀型矽島陣列輔助晶粒定位和微透鏡陣列輔助晶粒定位兩種技術。前者，藉由SiON半透光膜輔助，成功的抑制住矽島橫向長晶，只需持續提高吸收係數，矽…
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本論文以即時光學反射穿透率量測系統，測量了熱滯留層輔助準分子雷射退火矽膜結晶法過程中的融化時間。實驗結果顯示吸收係數12000cm-1時disc grain尺寸由傳統製程方式之1μm增加為8μm，原…